창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD19505KCS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD19505KCS | |
| PCN 조립/원산지 | TO220 Pkg Qualification Add Assembly & Test Site 30/Oct/2015 | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD19505KCS Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 150A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.8m옴 @ 100A, 6V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 76nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7820pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 296-37287-5 CSD19505KCS-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD19505KCS | |
| 관련 링크 | CSD195, CSD19505KCS 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | 0251012.MAT1L | FUSE BRD MNT 12A 32VAC/VDC AXIAL | 0251012.MAT1L.pdf | |
![]() | KTR10EZPF9313 | RES SMD 931K OHM 1% 1/8W 0805 | KTR10EZPF9313.pdf | |
![]() | RPC1206JT1K20 | RES SMD 1.2K OHM 5% 1/3W 1206 | RPC1206JT1K20.pdf | |
![]() | F3SJ-A1505P20 | F3SJ-A1505P20 | F3SJ-A1505P20.pdf | |
![]() | ER2G-A | ER2G-A KTG SMA | ER2G-A.pdf | |
![]() | LT1362CS8-2.5 | LT1362CS8-2.5 Linear SOP | LT1362CS8-2.5.pdf | |
![]() | STCII-B PbF | STCII-B PbF SCM QFP | STCII-B PbF.pdf | |
![]() | AL004D90BF102 | AL004D90BF102 ORIGINAL BGA | AL004D90BF102.pdf | |
![]() | D8J | D8J AD 8SOT23 | D8J.pdf | |
![]() | R3112N221A-TR | R3112N221A-TR RICOH SOT-235 | R3112N221A-TR.pdf | |
![]() | SS2H10/52T | SS2H10/52T VISHAY ORIGINAL | SS2H10/52T.pdf | |
![]() | M29W256GH70N6E/M29W256GH70N6F | M29W256GH70N6E/M29W256GH70N6F MICRON TSOP-56 | M29W256GH70N6E/M29W256GH70N6F.pdf |