창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD19503KCS | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD19503KCS | |
PCN 조립/원산지 | Site Chg 04/Dec/2015 Site Chg 25/Jan/2016 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD19503KCS Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9.2m옴 @ 60A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.4V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 36nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2730pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 188W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 296-37481-5 CSD19503KCS-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD19503KCS | |
관련 링크 | CSD195, CSD19503KCS 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
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![]() | NTS12120MFST3G | DIODE SCHOTTKY 120V 12A 5DFN | NTS12120MFST3G.pdf | |
![]() | IHSM4825RE100L | 10µH Unshielded Inductor 3.1A 71 mOhm Max Nonstandard | IHSM4825RE100L.pdf | |
![]() | 27J10R | RES 10 OHM 7W 5% AXIAL | 27J10R.pdf | |
![]() | RPC03561-J | RPC03561-J ORIGINAL SMD or Through Hole | RPC03561-J.pdf | |
![]() | UA9645PC/3245 | UA9645PC/3245 INDONESIA DIP16 | UA9645PC/3245.pdf | |
![]() | 5005961479 | 5005961479 Molex SMD or Through Hole | 5005961479.pdf | |
![]() | K4715B6B-P | K4715B6B-P ORIGINAL SMD | K4715B6B-P.pdf | |
![]() | H8S/2116V QFN | H8S/2116V QFN ORIGINAL SMD or Through Hole | H8S/2116V QFN.pdf | |
![]() | LNK362P | LNK362P POWER/ DIP-7 | LNK362P.pdf |