창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD19502Q5B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD19502Q5B Wide Vin DC/DC Power Solutions | |
애플리케이션 노트 | Ringing Reduction Techniques for MOSFETS | |
PCN 설계/사양 | Qualification Revision A 01/Jul/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Wire Bond 27/May/2014 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD19502Q5B Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.1m옴 @ 19A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4870pF @ 40V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | CSD19502Q5B-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD19502Q5B | |
관련 링크 | CSD195, CSD19502Q5B 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
VJ0805D390KXXAJ | 39pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D390KXXAJ.pdf | ||
SDR0805-8R2ML | 8.2µH Unshielded Wirewound Inductor Nonstandard | SDR0805-8R2ML.pdf | ||
MCR10EZPF1024 | RES SMD 1.02M OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10EZPF1024.pdf | ||
MNZSFH9GBS3 | MNZSFH9GBS3 PANASONIC QFP | MNZSFH9GBS3.pdf | ||
SC7502 | SC7502 SC SOP20 | SC7502.pdf | ||
61082-042402LF | 61082-042402LF FCI SMD or Through Hole | 61082-042402LF.pdf | ||
SL6600C | SL6600C PS CDIP | SL6600C.pdf | ||
SD15 | SD15 secos SOD-323 | SD15.pdf | ||
MAX6806UR26-T TEL:82766440 | MAX6806UR26-T TEL:82766440 MAXIM SMD or Through Hole | MAX6806UR26-T TEL:82766440.pdf | ||
2SD1766 T100Q | 2SD1766 T100Q ROHM SOT89 | 2SD1766 T100Q.pdf | ||
SP03-6 | SP03-6 LITTELFUS SOP-8 | SP03-6.pdf |