창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD19501KCS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD19501KCS | |
| PCN 조립/원산지 | Site Chg 04/Dec/2015 Site Chg 25/Jan/2016 | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD19501KCS Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 80V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.6m옴 @ 60A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 3.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3980pF @ 40V | |
| 전력 - 최대 | 217W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 296-37286-5 CSD19501KCS-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD19501KCS | |
| 관련 링크 | CSD195, CSD19501KCS 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | V510LC40AP | VARISTOR 820V 4.5KA DISC 14MM | V510LC40AP.pdf | |
![]() | RN73C1J13K3BTDF | RES SMD 13.3KOHM 0.1% 1/16W 0603 | RN73C1J13K3BTDF.pdf | |
![]() | RC0100FR-0713R7L | RES SMD 13.7 OHM 1% 1/32W 01005 | RC0100FR-0713R7L.pdf | |
![]() | PSP500JB-3K3 | RES 3.3K OHM 5W 5% AXIAL | PSP500JB-3K3.pdf | |
![]() | 750101R100K | 750101R100K CTS ORIGINAL | 750101R100K.pdf | |
![]() | D2MQ-4L-1-R | D2MQ-4L-1-R OMRON SMD or Through Hole | D2MQ-4L-1-R.pdf | |
![]() | ECQB1123JF3 | ECQB1123JF3 PAN DIP-2 | ECQB1123JF3.pdf | |
![]() | RN4B2AY114J-T1 | RN4B2AY114J-T1 taiyo LL34 | RN4B2AY114J-T1.pdf | |
![]() | CY7C470-15JC/ | CY7C470-15JC/ CY PLCC | CY7C470-15JC/.pdf | |
![]() | MIW2037 | MIW2037 MINMAX DC-DC | MIW2037.pdf | |
![]() | 6121-001 | 6121-001 UPD SMD or Through Hole | 6121-001.pdf | |
![]() | KRA102S/PB | KRA102S/PB KEC SMD or Through Hole | KRA102S/PB.pdf |