창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD18563Q5A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD18563Q5A Wide Vin DC/DC Power Solutions Guide | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.8m옴 @ 18A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 20nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1500pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 3.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SON(5x6) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 296-36511-2 CSD18563Q5A-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD18563Q5A | |
| 관련 링크 | CSD185, CSD18563Q5A 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
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![]() | PHP00603E1241BST1 | RES SMD 1.24K OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E1241BST1.pdf | |
![]() | E-TA2012 T 1DB N4 | RF Attenuator 1dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 1DB N4.pdf | |
![]() | 23M245-8 | 23M245-8 FUJIT QFN | 23M245-8.pdf | |
![]() | CSS11C40 | CSS11C40 ORIGINAL DIP | CSS11C40.pdf | |
![]() | RBV-150C | RBV-150C SANKEN SMD or Through Hole | RBV-150C.pdf | |
![]() | AND156SYP | AND156SYP AND 2010 | AND156SYP.pdf | |
![]() | IDT79RC32H434-350BCG | IDT79RC32H434-350BCG IDT BGA | IDT79RC32H434-350BCG.pdf | |
![]() | AFEM-7780 A | AFEM-7780 A ORIGINAL SMD or Through Hole | AFEM-7780 A.pdf | |
![]() | M17 | M17 ORIGINAL 1206 | M17.pdf |