창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD18542KTT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 2(1년) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD18542KTT Datasheet | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD18542KTT Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 57nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5070pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-4, D²Pak(3리드(lead)+탭), TO-263AA | |
| 공급 장치 패키지 | DDPAK/TO-263-3 | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 다른 이름 | 296-44236-2 CSD18542KTT-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD18542KTT | |
| 관련 링크 | CSD185, CSD18542KTT 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | BFP196E6327HTSA1 | TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-143 | BFP196E6327HTSA1.pdf | |
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![]() | MNR14ERAPJ112 | RES ARRAY 4 RES 1.1K OHM 1206 | MNR14ERAPJ112.pdf | |
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![]() | 348A1223P5 | 348A1223P5 intersil DIP | 348A1223P5.pdf | |
![]() | 2SD669L-C | 2SD669L-C UTC SMD or Through Hole | 2SD669L-C.pdf | |
![]() | T493C106K035BH | T493C106K035BH KEMET SMD or Through Hole | T493C106K035BH.pdf | |
![]() | TMS320DM310GHK21C | TMS320DM310GHK21C TIS Call | TMS320DM310GHK21C.pdf | |
![]() | TA2036N | TA2036N TOSHIBA DIP | TA2036N.pdf | |
![]() | DF225R12MS4 | DF225R12MS4 ORIGINAL SMD or Through Hole | DF225R12MS4.pdf | |
![]() | ADM30NDH | ADM30NDH JPC SMD or Through Hole | ADM30NDH.pdf | |
![]() | 30F4011-30I/P | 30F4011-30I/P MICROCHIP SMD or Through Hole | 30F4011-30I/P.pdf |