창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD18536KTTT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 면제 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 2(1년) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD18536KTT Datasheet | |
제조업체 제품 페이지 | CSD18536KTTT Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 200A(Ta), 279A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.6m옴 @ 100A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 140nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11430pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 375W | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-263-4, D²Pak(3리드(lead)+탭), TO-263AA | |
공급 장치 패키지 | DDPAK/TO-263-3 | |
표준 포장 | 50 | |
다른 이름 | 296-44122-2 CSD18536KTTT-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD18536KTTT | |
관련 링크 | CSD1853, CSD18536KTTT 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
UCY2G560MHD6TN | 56µF 400V Aluminum Capacitors Radial, Can 12000 Hrs @ 105°C | UCY2G560MHD6TN.pdf | ||
![]() | VJ0805D131KLXAJ | 130pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D131KLXAJ.pdf | |
![]() | VS-8ETL06SPBF | DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK | VS-8ETL06SPBF.pdf | |
![]() | 2456-6122TB | 2456-6122TB M SMD or Through Hole | 2456-6122TB.pdf | |
![]() | BT1074B | BT1074B ORIGINAL QFP- | BT1074B.pdf | |
![]() | TAPE156M016RNJ | TAPE156M016RNJ AVX E | TAPE156M016RNJ.pdf | |
![]() | BS62LV4006TCG-55 | BS62LV4006TCG-55 BSI TSOP32 | BS62LV4006TCG-55.pdf | |
![]() | EC6469-000 | EC6469-000 TEConn/Critchl SMD or Through Hole | EC6469-000.pdf | |
![]() | ELM9756NAA-S | ELM9756NAA-S ELM SOT89 | ELM9756NAA-S.pdf | |
![]() | PAH100S-48-12/T | PAH100S-48-12/T LAMBDA SMD or Through Hole | PAH100S-48-12/T.pdf | |
![]() | SD1728-21 | SD1728-21 STMicro SMD or Through Hole | SD1728-21.pdf | |
![]() | 220024109872 | 220024109872 YAGEO SMD | 220024109872.pdf |