창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD18532Q5B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD18532Q5B | |
PCN 설계/사양 | Qualification Revision A 01/Jul/2014 | |
PCN 조립/원산지 | VSON Additional Assembly Site 28/Oct/2013 Qualification Wire Bond 27/May/2014 Assembly/Test Site Transfer 19/Dec/2014 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD18532Q5B Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 25A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.2V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 58nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5070pF @ 30V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 296-35628-2 CSD18532Q5B-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD18532Q5B | |
관련 링크 | CSD185, CSD18532Q5B 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
![]() | RG2012N-6651-D-T5 | RES SMD 6.65K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012N-6651-D-T5.pdf | |
![]() | AD8210WYRZ | AD8210WYRZ ADI SMD or Through Hole | AD8210WYRZ.pdf | |
![]() | AD8111ATS | AD8111ATS AD QFP | AD8111ATS.pdf | |
![]() | HC1S30F780AB | HC1S30F780AB ALTERA BGA | HC1S30F780AB.pdf | |
![]() | IRF3707ZTR | IRF3707ZTR IR SMD or Through Hole | IRF3707ZTR.pdf | |
![]() | MC33164D-5.0 | MC33164D-5.0 ON SMD or Through Hole | MC33164D-5.0.pdf | |
![]() | PBP306 | PBP306 SEP DIP-4 | PBP306.pdf | |
![]() | TLE2022AE | TLE2022AE TI SOP8 | TLE2022AE.pdf | |
![]() | SD80803FJ-7 | SD80803FJ-7 TYI SMD | SD80803FJ-7.pdf | |
![]() | M1312-25M | M1312-25M VFC SMD or Through Hole | M1312-25M.pdf | |
![]() | IRKL132-14 | IRKL132-14 IR SMD or Through Hole | IRKL132-14.pdf | |
![]() | PS2581L2-M-E4- | PS2581L2-M-E4- NEC SOP4 | PS2581L2-M-E4-.pdf |