창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD18531Q5A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD18531Q5A | |
| 주요제품 | Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD18531Q5A Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 19A(Ta), 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.6m옴 @ 22A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 43nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3840pF @ 30V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSONP(5x6) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 296-30573-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD18531Q5A | |
| 관련 링크 | CSD185, CSD18531Q5A 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | 135D108X9015K6 | 1000µF Hermetically Sealed Tantalum Capacitors 15V Axial 1.2 Ohm 0.390" Dia x 1.062" L (9.91mm x 26.97mm) | 135D108X9015K6.pdf | |
![]() | CRCW04026K65FKED | RES SMD 6.65K OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW04026K65FKED.pdf | |
![]() | 104069-5 | 104069-5 TYCO con | 104069-5.pdf | |
![]() | D9DQB | D9DQB ORIGINAL BGA | D9DQB.pdf | |
![]() | 74HC27D,652 | 74HC27D,652 NXP SMD or Through Hole | 74HC27D,652.pdf | |
![]() | AD831AP-REEL | AD831AP-REEL AD SMD or Through Hole | AD831AP-REEL.pdf | |
![]() | 838BN-1646=P3 | 838BN-1646=P3 TOKO SMD or Through Hole | 838BN-1646=P3.pdf | |
![]() | M66212P | M66212P M DIP | M66212P.pdf | |
![]() | NAWU100M400V12.5X14HBF | NAWU100M400V12.5X14HBF NICCOMP SMD | NAWU100M400V12.5X14HBF.pdf | |
![]() | 2SA1832-Y TE85L,F | 2SA1832-Y TE85L,F TOSHIBA SOT23 | 2SA1832-Y TE85L,F.pdf | |
![]() | JST3117 | JST3117 CJ SMD | JST3117.pdf |