창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD18504KCS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD18504KCS | |
| PCN 조립/원산지 | Site Chg 04/Dec/2015 Site Chg 25/Jan/2016 | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD18504KCS Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 53A(Ta), 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 115W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 296-35578-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD18504KCS | |
| 관련 링크 | CSD185, CSD18504KCS 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D1R3CLPAJ | 1.3pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D1R3CLPAJ.pdf | |
![]() | PCF0603-13-4K99BT1 | RES SMD 4.99KOHM 0.1% 1/16W 0603 | PCF0603-13-4K99BT1.pdf | |
![]() | RF732BTTE1R3J | RF732BTTE1R3J KOA SMD | RF732BTTE1R3J.pdf | |
![]() | G8006R | G8006R ST DO-4 | G8006R.pdf | |
![]() | 2CW71J | 2CW71J CHINA SMD or Through Hole | 2CW71J.pdf | |
![]() | 3500S-21-502L | 3500S-21-502L bourns DIP | 3500S-21-502L.pdf | |
![]() | 2GK51-73 | 2GK51-73 CARLINGTECHNOLOGIES/WSI SMD or Through Hole | 2GK51-73.pdf | |
![]() | 7C263-55WMB | 7C263-55WMB CY CWDIP24 | 7C263-55WMB.pdf | |
![]() | UR7HCTS2USB | UR7HCTS2USB ORIGINAL SMD or Through Hole | UR7HCTS2USB.pdf | |
![]() | LQLB2012T100M LB2012T100M/CB2012T100M | LQLB2012T100M LB2012T100M/CB2012T100M TAIYO SMD or Through Hole | LQLB2012T100M LB2012T100M/CB2012T100M.pdf | |
![]() | IF1209S | IF1209S XPPower SIP | IF1209S.pdf |