창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD18504KCS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD18504KCS | |
| PCN 조립/원산지 | Site Chg 04/Dec/2015 Site Chg 25/Jan/2016 | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD18504KCS Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 53A(Ta), 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 40A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 25nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1800pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 115W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 296-35578-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD18504KCS | |
| 관련 링크 | CSD185, CSD18504KCS 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D110MXXAP | 11pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D110MXXAP.pdf | |
![]() | PZTA29 | TRANS NPN DARL 100V 0.8A SOT-223 | PZTA29.pdf | |
![]() | GP1UE261RKVF | RECEIVER IR REM CTRL 3V 38KHZ | GP1UE261RKVF.pdf | |
![]() | LT1647CS8-3 | LT1647CS8-3 LT SMD-16 | LT1647CS8-3.pdf | |
![]() | PI74ST1G86TEX | PI74ST1G86TEX PERICOM 5SOT23 | PI74ST1G86TEX.pdf | |
![]() | 17AMC075 | 17AMC075 Sensata SMD or Through Hole | 17AMC075.pdf | |
![]() | MAX410BMJA | MAX410BMJA MAX CDIP8 | MAX410BMJA.pdf | |
![]() | LP3981TMM-3.3 | LP3981TMM-3.3 NS SOP-8 | LP3981TMM-3.3.pdf | |
![]() | FQD1116ME/BM-TPV | FQD1116ME/BM-TPV NXP SMD or Through Hole | FQD1116ME/BM-TPV.pdf | |
![]() | CD4052BD/3 | CD4052BD/3 RCA CDIP | CD4052BD/3.pdf | |
![]() | GM7110-5.0H | GM7110-5.0H GAMMA TO263 | GM7110-5.0H.pdf | |
![]() | 5144546UOI | 5144546UOI ORIGINAL SOP | 5144546UOI.pdf |