창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD18502KCS | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD18502KCS | |
| PCN 조립/원산지 | Site Chg 04/Dec/2015 Site Chg 25/Jan/2016 | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD18502KCS Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.9m옴 @ 100A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4680pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 259W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-3 | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | 296-34940-5 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD18502KCS | |
| 관련 링크 | CSD185, CSD18502KCS 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | ERA-V39J151V | RES TEMP SENS 150 OHM 5% 1/16W | ERA-V39J151V.pdf | |
![]() | 40F560E | RES 560 OHM 10W 1% AXIAL | 40F560E.pdf | |
![]() | TL082IJG | TL082IJG TI DIP | TL082IJG.pdf | |
![]() | OP295GZ | OP295GZ AD SMD or Through Hole | OP295GZ.pdf | |
![]() | 77mm/34P(0.5) | 77mm/34P(0.5) ORIGINAL SMD or Through Hole | 77mm/34P(0.5).pdf | |
![]() | MB0603-121-LF | MB0603-121-LF coilmaster NA | MB0603-121-LF.pdf | |
![]() | M30620M8A-8A7FP | M30620M8A-8A7FP RENESAS QFP | M30620M8A-8A7FP.pdf | |
![]() | 0805 5.6V =MM3Z5V6 | 0805 5.6V =MM3Z5V6 ST 0805 SOD-323 | 0805 5.6V =MM3Z5V6.pdf | |
![]() | 10YXA10000M16X35.5 | 10YXA10000M16X35.5 ORIGINAL SMD or Through Hole | 10YXA10000M16X35.5.pdf | |
![]() | S10SCM | S10SCM ORIGINAL SMD or Through Hole | S10SCM.pdf | |
![]() | DM54S288J S82S123F | DM54S288J S82S123F NS CDIP16 | DM54S288J S82S123F.pdf | |
![]() | KM684000CLT5L | KM684000CLT5L SAM TSOP2 | KM684000CLT5L.pdf |