창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD18501Q5A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD18501Q5A | |
| 주요제품 | Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD18501Q5A Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Ta), 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.2m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.3V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3840pF @ 20V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 296-30570-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD18501Q5A | |
| 관련 링크 | CSD185, CSD18501Q5A 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
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![]() | ERA-2AEB52R3X | RES SMD 52.3 OHM 0.1% 1/16W 0402 | ERA-2AEB52R3X.pdf | |
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![]() | 16F873A-I/SS | 16F873A-I/SS ORIGINAL SMD or Through Hole | 16F873A-I/SS.pdf | |
![]() | K7N403601BQCI13 | K7N403601BQCI13 SAMSUNG SMD or Through Hole | K7N403601BQCI13.pdf | |
![]() | S-8541D00FN-IME-T2G | S-8541D00FN-IME-T2G SEIKO SMD or Through Hole | S-8541D00FN-IME-T2G.pdf | |
![]() | SN74GTLPH16612DLR | SN74GTLPH16612DLR TI SSOP56 | SN74GTLPH16612DLR.pdf | |
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