창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD17579Q3A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD17579Q3A | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD17579Q3A Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.2m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.9V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 998pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 3.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSONP(3x3.15) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 296-39998-2 CSD17579Q3A-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD17579Q3A | |
| 관련 링크 | CSD175, CSD17579Q3A 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | 1N6042 | TVS DIODE 10VWM 19VC DO13 | 1N6042.pdf | |
![]() | AC2010JK-07100KL | RES SMD 100K OHM 5% 3/4W 2010 | AC2010JK-07100KL.pdf | |
![]() | TNPW2010820KBEEF | RES SMD 820K OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW2010820KBEEF.pdf | |
![]() | CD74HC10M96 | CD74HC10M96 TI SOIC-14 | CD74HC10M96.pdf | |
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![]() | NJM2864F03/TE1 | NJM2864F03/TE1 JRC SOT23-5 | NJM2864F03/TE1.pdf | |
![]() | ICP-N50 T104 | ICP-N50 T104 ROHM TO-92 | ICP-N50 T104.pdf | |
![]() | TC7SH86F(T5LT) | TC7SH86F(T5LT) TOSH SMD or Through Hole | TC7SH86F(T5LT).pdf | |
![]() | IRF741FI | IRF741FI I TO-220F | IRF741FI.pdf | |
![]() | NJVMJD42CT4 | NJVMJD42CT4 ONSemiconductor SMD or Through Hole | NJVMJD42CT4.pdf | |
![]() | PIC 18F258-I/SP | PIC 18F258-I/SP PIC DIP28 | PIC 18F258-I/SP.pdf | |
![]() | AFBF | AFBF ORIGINAL 5SOT-23 | AFBF.pdf |