창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD17578Q5A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD17578Q5A | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD17578Q5A Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 25A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.9m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.9V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22.3nC @ 10V | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1510pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD17578Q5A | |
| 관련 링크 | CSD175, CSD17578Q5A 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | SMCG51A-M3/57T | TVS DIODE 51VWM 82.4VC DO-215AB | SMCG51A-M3/57T.pdf | |
![]() | ERJ-8ENF13R0V | RES SMD 13 OHM 1% 1/4W 1206 | ERJ-8ENF13R0V.pdf | |
![]() | 4816P-T01-272 | RES ARRAY 8 RES 2.7K OHM 16SOIC | 4816P-T01-272.pdf | |
| RSMF2JB82K0 | RES METAL OX 2W 82K OHM 5% AXL | RSMF2JB82K0.pdf | ||
![]() | BS232 | BS232 ORIGINAL SMD or Through Hole | BS232.pdf | |
![]() | HAT2088 | HAT2088 RENESAS SMD or Through Hole | HAT2088.pdf | |
![]() | TMX320C28346ZEP | TMX320C28346ZEP TI BGA | TMX320C28346ZEP.pdf | |
![]() | ERWE421LRN132MBB0M | ERWE421LRN132MBB0M NIPPONCHEMI-CON DIP-2 | ERWE421LRN132MBB0M.pdf | |
![]() | 2N5467. | 2N5467. ON TO-3 | 2N5467..pdf | |
![]() | B5V1 PH | B5V1 PH PHILIPS SOD27(DO35) | B5V1 PH.pdf | |
![]() | TLV2452IDGKG4 | TLV2452IDGKG4 TI SMD or Through Hole | TLV2452IDGKG4.pdf | |
![]() | 7916-26FHA/SN | 7916-26FHA/SN OUPIIN SMD or Through Hole | 7916-26FHA/SN.pdf |