창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD17578Q3AT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD17578Q3A Datasheet | |
| 주요제품 | CSD1757xx Family MOSFETs | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD17578Q3AT Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7.3m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.9V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 22.2nC @ 10V | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1590pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 3.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSONP(3x3.15) | |
| 표준 포장 | 250 | |
| 다른 이름 | 296-38462-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD17578Q3AT | |
| 관련 링크 | CSD1757, CSD17578Q3AT 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | SM6T200CA-M3/52 | TVS DIODE 171VWM 274VC DO-214AA | SM6T200CA-M3/52.pdf | |
![]() | 2455RCG81740176 | AUTO RESET THERMOSTAT | 2455RCG81740176.pdf | |
![]() | 5LL0LL09 | 5LL0LL09 ORIGINAL SOP-8 | 5LL0LL09.pdf | |
![]() | NJD4001NT1G | NJD4001NT1G ON SOT363 | NJD4001NT1G.pdf | |
![]() | CYDMX064B16-65BVXI | CYDMX064B16-65BVXI CY SMD or Through Hole | CYDMX064B16-65BVXI.pdf | |
![]() | ERJ6ENF1300V | ERJ6ENF1300V PANASONIC SMD or Through Hole | ERJ6ENF1300V.pdf | |
![]() | SED1526D0B | SED1526D0B EPSON SMD or Through Hole | SED1526D0B.pdf | |
![]() | HF-118F-05-1ZS1T | HF-118F-05-1ZS1T HONGFA/ SMD or Through Hole | HF-118F-05-1ZS1T.pdf | |
![]() | BD82IBXMQV97 | BD82IBXMQV97 INTEL SMD or Through Hole | BD82IBXMQV97.pdf | |
![]() | Y3C6 | Y3C6 SOT SOT153 | Y3C6.pdf | |
![]() | TL082BIYDT | TL082BIYDT ST SO-8 | TL082BIYDT.pdf | |
![]() | XC40150XV-09BG560I | XC40150XV-09BG560I XILINX SMD or Through Hole | XC40150XV-09BG560I.pdf |