창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD17577Q5AT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 면제 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD17577Q5A | |
| 주요제품 | CSD1757xx Family MOSFETs | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD17577Q5AT Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 18A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.8V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 35nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2310pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSONP(3x3.15) | |
| 표준 포장 | 250 | |
| 다른 이름 | 296-38337-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD17577Q5AT | |
| 관련 링크 | CSD1757, CSD17577Q5AT 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
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![]() | MIS20040/28-001 | MIS20040/28-001 MOT DIP16 | MIS20040/28-001.pdf | |
![]() | PEB3256F-V1.3 | PEB3256F-V1.3 ORIGINAL QFP | PEB3256F-V1.3.pdf | |
![]() | TCA0605N7 | TCA0605N7 YANTEL SMD | TCA0605N7.pdf | |
![]() | C3216X7R1H473K | C3216X7R1H473K TDK SMD or Through Hole | C3216X7R1H473K.pdf | |
![]() | 6.552MHZ | 6.552MHZ EPSON SMD-DIP | 6.552MHZ.pdf | |
![]() | 301U200 | 301U200 IR SMD or Through Hole | 301U200.pdf | |
![]() | VJ1812A101KXEAT | VJ1812A101KXEAT VISHAY SMD or Through Hole | VJ1812A101KXEAT.pdf | |
![]() | MC74HC563AN | MC74HC563AN MOT DIP-20 | MC74HC563AN.pdf |