창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD17570Q5B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD17570Q5B | |
PCN 설계/사양 | Qualification Revision A 01/Jul/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Wire Bond 27/May/2014 Assembly/Test Site Transfer 19/Dec/2014 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD17570Q5B Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.69m옴 @ 50A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.9V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 121nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13600pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 296-39993-2 CSD17570Q5B-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD17570Q5B | |
관련 링크 | CSD175, CSD17570Q5B 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
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![]() | BFC237590453 | 0.12µF Film Capacitor 400V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.181" L x 0.453" W (30.00mm x 11.50mm) | BFC237590453.pdf | |
![]() | V39ZA05P | VARISTOR 39V 100A DISC 5MM | V39ZA05P.pdf | |
![]() | ES2CHE3/5BT | DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA | ES2CHE3/5BT.pdf | |
![]() | ERJ-S12F2673U | RES SMD 267K OHM 1% 3/4W 1812 | ERJ-S12F2673U.pdf | |
![]() | H82K55BZA | RES 2.55K OHM 1/4W 0.1% AXIAL | H82K55BZA.pdf | |
![]() | Sm411801 | Sm411801 ARK SMD or Through Hole | Sm411801.pdf | |
![]() | ACM4520-421-2P | ACM4520-421-2P TDK SMD | ACM4520-421-2P.pdf | |
![]() | MCP1701AT-2102I/MB | MCP1701AT-2102I/MB MICROCHIP SMD or Through Hole | MCP1701AT-2102I/MB.pdf | |
![]() | FDDM7685E2 | FDDM7685E2 LG SMD or Through Hole | FDDM7685E2.pdf | |
![]() | TDA9332H N3 | TDA9332H N3 PHILIPS QFP44 | TDA9332H N3.pdf |