창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD17559Q5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD17559Q5 | |
PCN 설계/사양 | Qualification Revision A 01/Jul/2014 | |
PCN 조립/원산지 | Qualification Assembly/Test Site 03/Mar/2014 Qualification Wire Bond 27/May/2014 Assembly/Test Site Revision C 09/Feb/2015 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD17559Q5 Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A(Ta), 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.15m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.7V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 51nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9200pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 296-35582-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD17559Q5 | |
관련 링크 | CSD175, CSD17559Q5 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
![]() | DM74LS161N | DM74LS161N FSC DIP | DM74LS161N.pdf | |
![]() | MMBTH11LT1G | MMBTH11LT1G ON SOT-23 | MMBTH11LT1G.pdf | |
![]() | V10505 | V10505 VTC PLCC68 | V10505.pdf | |
![]() | CS1521 | CS1521 CS DIE100 QFP100 | CS1521.pdf | |
![]() | FX6A-60S-0.8SV2(71) | FX6A-60S-0.8SV2(71) Hirose SMD or Through Hole | FX6A-60S-0.8SV2(71).pdf | |
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![]() | SIGC42T60NCUNSAWN | SIGC42T60NCUNSAWN Infineon SMD or Through Hole | SIGC42T60NCUNSAWN.pdf | |
![]() | 545520406 | 545520406 MOLEX SMD | 545520406.pdf | |
![]() | 5.6A | 5.6A NATIONAL SOT23 | 5.6A.pdf | |
![]() | CXP80620A-015Q | CXP80620A-015Q SONY QFP | CXP80620A-015Q.pdf | |
![]() | 85322AMLF | 85322AMLF ORIGINAL SOP QFN | 85322AMLF.pdf |