창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD17553Q5A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD17553Q5A | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD17553Q5A Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 23.5A(Ta), 100A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.1m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.9V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 21.5nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3252pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 3.1W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 296-30602-2 CSD17553Q5A-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD17553Q5A | |
| 관련 링크 | CSD175, CSD17553Q5A 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D430KLPAJ | 43pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D430KLPAJ.pdf | |
![]() | ECS-162.5-S-4 | 16.257MHz ±30ppm 수정 시리즈 40옴 -10°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | ECS-162.5-S-4.pdf | |
![]() | AM27S291APC | AM27S291APC AMD DIP | AM27S291APC.pdf | |
![]() | FW82456GB | FW82456GB INTEL BGA | FW82456GB.pdf | |
![]() | PESD5V0L7BAS | PESD5V0L7BAS PHILIPS TSSOP | PESD5V0L7BAS.pdf | |
![]() | CAW216 | CAW216 TELEDYNE SMD or Through Hole | CAW216.pdf | |
![]() | M5M27C202P12D1 | M5M27C202P12D1 MITSUBISHI SMD or Through Hole | M5M27C202P12D1.pdf | |
![]() | MBGG21104-143 | MBGG21104-143 FUJ PGA401 | MBGG21104-143.pdf | |
![]() | ds116 | ds116 coo SMD or Through Hole | ds116.pdf | |
![]() | KST32TF | KST32TF SAMSUNG SOT-23 | KST32TF.pdf | |
![]() | CMZB51 | CMZB51 TOSHIBA M-FLAT | CMZB51.pdf | |
![]() | RN2105F TEL:82766440 | RN2105F TEL:82766440 TOSHIBA SOT-423 | RN2105F TEL:82766440.pdf |