창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD17552Q5A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD17552Q5A | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD17552Q5A Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 17A(Ta), 60A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.2m옴 @ 15A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.9V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2050pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 296-35580-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD17552Q5A | |
| 관련 링크 | CSD175, CSD17552Q5A 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | MCR100JZHJ6R2 | RES SMD 6.2 OHM 5% 1W 2512 | MCR100JZHJ6R2.pdf | |
![]() | TNPW060339K7BEEA | RES SMD 39.7KOHM 0.1% 1/10W 0603 | TNPW060339K7BEEA.pdf | |
![]() | H431R6BCA | RES 31.6 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H431R6BCA.pdf | |
![]() | MMA2702W | Accelerometer X Axis ±25g 16-QFN-EP (6x6) | MMA2702W.pdf | |
![]() | RGH100-S40079 | RGH100-S40079 NOBLE SMD or Through Hole | RGH100-S40079.pdf | |
![]() | CTC3106X9004B2TE3 | CTC3106X9004B2TE3 VISHAY SMD | CTC3106X9004B2TE3.pdf | |
![]() | CC0805 220J 50VY | CC0805 220J 50VY ORIGINAL SMD or Through Hole | CC0805 220J 50VY.pdf | |
![]() | HY5DU281622ET-6 | HY5DU281622ET-6 ORIGINAL BGA | HY5DU281622ET-6.pdf | |
![]() | TK796503N | TK796503N ORIGINAL DIP | TK796503N.pdf | |
![]() | LP3963ET18NOPB | LP3963ET18NOPB NSC TO | LP3963ET18NOPB.pdf | |
![]() | 74HC40103DT | 74HC40103DT NXP SMD or Through Hole | 74HC40103DT.pdf | |
![]() | MB660506UPF | MB660506UPF FUJI QFP | MB660506UPF.pdf |