창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD17551Q3A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD17551Q3A | |
| PCN 포장 | ECAT Label Update 02/Oct/2014 | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD17551Q3A Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 9m옴 @ 11A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.8nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1370pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2.6W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SON(3.3x3.3) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 296-35025-2 CSD17551Q3A-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD17551Q3A | |
| 관련 링크 | CSD175, CSD17551Q3A 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | IRL3103D1STRR | MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK | IRL3103D1STRR.pdf | |
![]() | IDT8M856L70C | IDT8M856L70C IDT DIP | IDT8M856L70C.pdf | |
![]() | 5002541907+ | 5002541907+ MOLEX SMD or Through Hole | 5002541907+.pdf | |
![]() | 10YXF1000MT810X16 | 10YXF1000MT810X16 RUBYCON SMD or Through Hole | 10YXF1000MT810X16.pdf | |
![]() | SILABSF590 | SILABSF590 SILICON QFN | SILABSF590.pdf | |
![]() | CM2802A-K1 | CM2802A-K1 CMO QFP | CM2802A-K1.pdf | |
![]() | HCB2012HF-601T10 | HCB2012HF-601T10 Tai-tech SMD or Through Hole | HCB2012HF-601T10.pdf | |
![]() | CTL-6-P-4-H | CTL-6-P-4-H U_RD SMD or Through Hole | CTL-6-P-4-H .pdf | |
![]() | LT1118CST-3.3 | LT1118CST-3.3 LT SOT-223 | LT1118CST-3.3.pdf | |
![]() | CLH2012T-10NK-S | CLH2012T-10NK-S YAGEO SMD or Through Hole | CLH2012T-10NK-S.pdf | |
![]() | OPA137 | OPA137 BB SOP-8 | OPA137.pdf | |
![]() | SAA5553PS/M3/0079 | SAA5553PS/M3/0079 PHILIPS DIP | SAA5553PS/M3/0079.pdf |