창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD17510Q5A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD17510Q5A | |
제품 교육 모듈 | NexFET MOSFET Technology | |
비디오 파일 | PowerStack™ Packaging Technology Overview | |
주요제품 | Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer | |
제조업체 제품 페이지 | CSD17510Q5A Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Ta), 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.2m옴 @ 20A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 8.3nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1250pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 296-27792-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD17510Q5A | |
관련 링크 | CSD175, CSD17510Q5A 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
RT0603CRC0712RL | RES SMD 12 OHM 0.25% 1/10W 0603 | RT0603CRC0712RL.pdf | ||
Y161220K0000T9W | RES SMD 20K OHM 0.01% 0.4W 2512 | Y161220K0000T9W.pdf | ||
IRKD320-30 | IRKD320-30 IR MODULE | IRKD320-30.pdf | ||
4340P4 | 4340P4 ORIGINAL SMD or Through Hole | 4340P4 .pdf | ||
HL22W101MRX | HL22W101MRX ORIGINAL SMD or Through Hole | HL22W101MRX.pdf | ||
C3216X7R1A685M | C3216X7R1A685M TDK 1206 | C3216X7R1A685M.pdf | ||
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ISPLSI 1016E-80LJ | ISPLSI 1016E-80LJ LATTICE PLCC44 | ISPLSI 1016E-80LJ.pdf | ||
TBPS0R333K455H5Q | TBPS0R333K455H5Q TAIYO SMD | TBPS0R333K455H5Q.pdf | ||
38-00-7089 | 38-00-7089 MOLEX SMD or Through Hole | 38-00-7089.pdf | ||
OJE-SS-112LMH-000 | OJE-SS-112LMH-000 OEG DIP | OJE-SS-112LMH-000.pdf |