창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD17507Q5A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD17507Q5A | |
제품 교육 모듈 | NexFET MOSFET Technology | |
비디오 파일 | PowerStack™ Packaging Technology Overview | |
주요제품 | Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer | |
제조업체 제품 페이지 | CSD17507Q5A Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Ta), 65A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.8m옴 @ 11A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.6nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 530pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 296-27791-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD17507Q5A | |
관련 링크 | CSD175, CSD17507Q5A 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
![]() | CPCC05R7500JB31 | RES 0.75 OHM 5W 5% RADIAL | CPCC05R7500JB31.pdf | |
![]() | UPD7811H-049 | UPD7811H-049 NEC DIP | UPD7811H-049.pdf | |
![]() | SDS125-470M-LF | SDS125-470M-LF ORIGINAL SMD or Through Hole | SDS125-470M-LF.pdf | |
![]() | DSF521(TH3.F) | DSF521(TH3.F) TOSHIBA SMD or Through Hole | DSF521(TH3.F).pdf | |
![]() | PT3208 | PT3208 ORIGINAL DIP | PT3208.pdf | |
![]() | BLM18KG700 | BLM18KG700 ORIGINAL NA | BLM18KG700.pdf | |
![]() | VE3220UF10VTR | VE3220UF10VTR LELN ve3221m1a0607-tr0 | VE3220UF10VTR.pdf | |
![]() | BE2F044HB1 | BE2F044HB1 JAE SMD or Through Hole | BE2F044HB1.pdf | |
![]() | STR-F6654 | STR-F6654 SANKEN SMD or Through Hole | STR-F6654.pdf | |
![]() | 127123FB010S202ZL(TSTDTS) | 127123FB010S202ZL(TSTDTS) SUYINCORP SMD or Through Hole | 127123FB010S202ZL(TSTDTS).pdf | |
![]() | HSU119-90YRF | HSU119-90YRF RENESAS SOT-23 | HSU119-90YRF.pdf |