창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD17507Q5A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD17507Q5A | |
| 제품 교육 모듈 | NexFET MOSFET Technology | |
| 비디오 파일 | PowerStack™ Packaging Technology Overview | |
| 주요제품 | Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD17507Q5A Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Ta), 65A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.8m옴 @ 11A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 3.6nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 530pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 3W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | 296-27791-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD17507Q5A | |
| 관련 링크 | CSD175, CSD17507Q5A 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
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![]() | LHL10TB820K | 82µH Unshielded Inductor 1.4A 130 mOhm Max Radial | LHL10TB820K.pdf | |
![]() | CPF0805B412RE1 | RES SMD 412 OHM 0.1% 1/10W 0805 | CPF0805B412RE1.pdf | |
![]() | SM72480SDX-120/NOPB | IC TEMP SWITCH & SENSOR 6WSON | SM72480SDX-120/NOPB.pdf | |
![]() | 1GP340M.216MS2BFA22H | 1GP340M.216MS2BFA22H ORIGINAL BGA | 1GP340M.216MS2BFA22H.pdf | |
![]() | SIL1162DY-T1 | SIL1162DY-T1 ORIGINAL TSSOP | SIL1162DY-T1.pdf | |
![]() | 25CE100LL | 25CE100LL SANYO SMD or Through Hole | 25CE100LL.pdf | |
![]() | CY7C63000APC | CY7C63000APC CY DIP20 | CY7C63000APC.pdf | |
![]() | R46KN34700001M | R46KN34700001M ORIGINAL SMD or Through Hole | R46KN34700001M.pdf | |
![]() | IXGM10N80AA | IXGM10N80AA IXY SMD or Through Hole | IXGM10N80AA.pdf |