창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD17382F4T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD17382F4 | |
| PCN 설계/사양 | DSBGA/uSIP 22/Jun/2016 | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD17382F4T Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | FemtoFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 64m옴 @ 500mA, 8V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.7nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 347pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-XFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 3-PICOSTAR | |
| 표준 포장 | 250 | |
| 다른 이름 | 296-44148-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD17382F4T | |
| 관련 링크 | CSD173, CSD17382F4T 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | EEC-RG0V224V | 220mF Supercap 3.6V Axial, Can - Vertical 50 Ohm @ 1kHz 2000 Hrs @ 85°C 0.413" Dia (10.50mm) | EEC-RG0V224V.pdf | |
![]() | CMR05E560GPDM | CMR MICA | CMR05E560GPDM.pdf | |
![]() | RP73D2B56K2BTG | RES SMD 56.2K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RP73D2B56K2BTG.pdf | |
![]() | 74F193D/N74F193D | 74F193D/N74F193D PHI SO | 74F193D/N74F193D.pdf | |
![]() | TEA6848AH/V1 | TEA6848AH/V1 PHI SMD or Through Hole | TEA6848AH/V1.pdf | |
![]() | N310SH04 | N310SH04 WESTCODE MODULE | N310SH04.pdf | |
![]() | VT1622AM | VT1622AM VIA SMD or Through Hole | VT1622AM.pdf | |
![]() | EB2-3/DC3V | EB2-3/DC3V NEC SMD or Through Hole | EB2-3/DC3V.pdf | |
![]() | AAT3513IGV-2.93-C-C-T1 | AAT3513IGV-2.93-C-C-T1 AAT SOT23-5 | AAT3513IGV-2.93-C-C-T1.pdf | |
![]() | 0P2301 | 0P2301 ST SOP-16 | 0P2301.pdf |