창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD17382F4T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD17382F4 | |
| PCN 설계/사양 | DSBGA/uSIP 22/Jun/2016 | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD17382F4T Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | FemtoFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.3A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 64m옴 @ 500mA, 8V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.2V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 2.7nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 347pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-XFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 3-PICOSTAR | |
| 표준 포장 | 250 | |
| 다른 이름 | 296-44148-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD17382F4T | |
| 관련 링크 | CSD173, CSD17382F4T 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | 53D112G035GE6 | 1100µF 35V Aluminum Capacitors Axial, Can 219 mOhm @ 120Hz 1000 Hrs @ 85°C | 53D112G035GE6.pdf | |
| 4448R-134L | Unshielded 2 Coil Inductor Array 1.2mH Inductance - Connected in Series 300µH Inductance - Connected in Parallel 672 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 620mA Nonstandard | 4448R-134L.pdf | ||
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![]() | CPC7593BBTR | CPC7593BBTR CLARE SMD or Through Hole | CPC7593BBTR.pdf | |
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![]() | JMC3325 | JMC3325 JMC QFN16 | JMC3325.pdf | |
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![]() | 20-3AXF | 20-3AXF ORIGINAL SSOP16 | 20-3AXF.pdf | |
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