Texas Instruments CSD17313Q2

CSD17313Q2
제조업체 부품 번호
CSD17313Q2
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 5A 6SON
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내부 부품 번호EIS-CSD17313Q2
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서CSD17313Q2
TI Solutions Tablets,eBooks
Power Management Guide
애플리케이션 노트Ringing Reduction Techniques for MOSFETS
제품 교육 모듈NexFET MOSFET Technology
비디오 파일NexFET Power Block
PowerStack™ Packaging Technology Overview
주요제품Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer
PCN 설계/사양Marking Standardization 29/Jan/2015
제조업체 제품 페이지CSD17313Q2 Specifications
카탈로그 페이지 1618 (KR2011-KO PDF)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Texas Instruments
계열NexFET™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C5A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs30m옴 @ 4A, 8V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.8V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs2.7nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds340pF @ 15V
전력 - 최대2.3W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-WDFN 노출형 패드
공급 장치 패키지6-WSON(2x2)
표준 포장 3,000
다른 이름296-27233-2
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)CSD17313Q2
관련 링크CSD173, CSD17313Q2 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통
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