창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD17310Q5A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD17310Q5A | |
제품 교육 모듈 | NexFET MOSFET Technology | |
비디오 파일 | NexFET Power Block PowerStack™ Packaging Technology Overview | |
주요제품 | Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer | |
제조업체 제품 페이지 | CSD17310Q5A Specifications | |
카탈로그 페이지 | 1618 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 21A(Ta), 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.1m옴 @ 20A, 8V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.8V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11.6nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1560pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3.1W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 296-25858-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD17310Q5A | |
관련 링크 | CSD173, CSD17310Q5A 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
![]() | SIT8008BI-22-33E-12.28800E | OSC XO 3.3V 12.288MHZ OE | SIT8008BI-22-33E-12.28800E.pdf | |
![]() | FXO-HC536R-114.775489 | 114.775489MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 47mA Enable/Disable | FXO-HC536R-114.775489.pdf | |
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![]() | AMC2596-ADJPF | AMC2596-ADJPF ADD TO-220 | AMC2596-ADJPF.pdf | |
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![]() | ST62T62CM6 | ST62T62CM6 ST SOP-16 | ST62T62CM6.pdf | |
![]() | LTC3786IUD | LTC3786IUD LINEAR SMD or Through Hole | LTC3786IUD.pdf | |
![]() | ICS7152AMI-11LF | ICS7152AMI-11LF IDT 8SOIC(GREEN) | ICS7152AMI-11LF.pdf | |
![]() | SST-90W30MGJ700 | SST-90W30MGJ700 LUM SMD or Through Hole | SST-90W30MGJ700.pdf | |
![]() | USP-500-12 | USP-500-12 MW SMD or Through Hole | USP-500-12.pdf | |
![]() | VI-250-CV-03/F4 | VI-250-CV-03/F4 VICOR SMD or Through Hole | VI-250-CV-03/F4.pdf |