창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD17306Q5A | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD17306Q5A | |
제품 교육 모듈 | NexFET MOSFET Technology | |
비디오 파일 | NexFET Power Block PowerStack™ Packaging Technology Overview | |
주요제품 | Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer | |
제조업체 제품 페이지 | CSD17306Q5A Specifications | |
카탈로그 페이지 | 1618 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 24A(Ta), 100A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 3.7m옴 @ 22A, 8V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.6V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 15.3nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2170pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 3.2W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | 296-25856-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD17306Q5A | |
관련 링크 | CSD173, CSD17306Q5A 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
![]() | RT1206BRC072K61L | RES SMD 2.61K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRC072K61L.pdf | |
![]() | HRG3216P-4640-D-T5 | RES SMD 464 OHM 0.5% 1W 1206 | HRG3216P-4640-D-T5.pdf | |
![]() | SR2500002201JR500 | SR2500002201JR500 AVX smd | SR2500002201JR500.pdf | |
![]() | VS3-C8-A8-A8-02(-451 | VS3-C8-A8-A8-02(-451 ORIGINAL SMD or Through Hole | VS3-C8-A8-A8-02(-451.pdf | |
![]() | X1272-5003 | X1272-5003 ORIGINAL BGA | X1272-5003.pdf | |
![]() | DA227Y | DA227Y ROHM SC-75A | DA227Y.pdf | |
![]() | TPS76430DBV | TPS76430DBV TI SOT-23 | TPS76430DBV.pdf | |
![]() | SG770340 | SG770340 MSC CAN-3 | SG770340.pdf | |
![]() | MNR35J5RJ332/3.3K | MNR35J5RJ332/3.3K ROHM 1206 10 | MNR35J5RJ332/3.3K.pdf | |
![]() | T1E8 | T1E8 SanRex TO-92 | T1E8.pdf | |
![]() | PEB2456H V1.2 | PEB2456H V1.2 ORIGINAL QFP | PEB2456H V1.2.pdf |