창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD16570Q5BT | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 준수 면제 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD16570Q5B | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Transfer 19/Dec/2014 | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD16570Q5BT Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 25V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 100A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 0.59m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.9V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 250nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14000pF @ 12V | |
| 전력 - 최대 | 3.2W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-VSON(5x6) | |
| 표준 포장 | 250 | |
| 다른 이름 | 296-38335-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD16570Q5BT | |
| 관련 링크 | CSD1657, CSD16570Q5BT 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | 83F6R19 | RES 6.19 OHM 3W 1% AXIAL | 83F6R19.pdf | |
![]() | R23D16B | R23D16B IR DO-9 | R23D16B.pdf | |
![]() | MC100EP33DT | MC100EP33DT ON MSOP8 | MC100EP33DT.pdf | |
![]() | VL82C101 | VL82C101 VLSI PLCC84 | VL82C101.pdf | |
![]() | 2SK1943-01 | 2SK1943-01 FUJI TO-220 | 2SK1943-01.pdf | |
![]() | G7L-1A-P-AC200V | G7L-1A-P-AC200V OMRON SMD or Through Hole | G7L-1A-P-AC200V.pdf | |
![]() | LT1167CS8-1#PBF | LT1167CS8-1#PBF LINEAR SOP8 | LT1167CS8-1#PBF.pdf | |
![]() | ZB4CS-700-10W | ZB4CS-700-10W MINI NA | ZB4CS-700-10W.pdf | |
![]() | 2010 560R F | 2010 560R F TASUND SMD or Through Hole | 2010 560R F.pdf | |
![]() | NJM7909DL1A | NJM7909DL1A JRC SOT-252 | NJM7909DL1A.pdf | |
![]() | UUP1C4R7MCT1GS | UUP1C4R7MCT1GS NICHICON SMD | UUP1C4R7MCT1GS.pdf |