창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD15571Q2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD15571Q2 | |
| PCN 설계/사양 | Marking Standardization 29/Jan/2015 | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD15571Q2 Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 22A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 15m옴 @ 5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.9V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 6.7nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 419pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 2.5W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 6-WDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-SON(2x2) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 296-39992-2 CSD15571Q2-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD15571Q2 | |
| 관련 링크 | CSD155, CSD15571Q2 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | HS75 R47 J | RES CHAS MNT 0.47 OHM 5% 75W | HS75 R47 J.pdf | |
![]() | IMISG589BTBD | IMISG589BTBD CYPRESS sop | IMISG589BTBD.pdf | |
![]() | MT8962A | MT8962A MITEL CDIP | MT8962A.pdf | |
![]() | GE3O21 | GE3O21 GE DIPSOP6 | GE3O21.pdf | |
![]() | DF06S-e3 | DF06S-e3 VISHAY SOP-4 | DF06S-e3.pdf | |
![]() | RN55E1012B | RN55E1012B VISHAY/DALE SMD or Through Hole | RN55E1012B.pdf | |
![]() | E4525T500 | E4525T500 TOKIN SMD or Through Hole | E4525T500.pdf | |
![]() | ADM809JART-REEL8 | ADM809JART-REEL8 AD SOT23-3 | ADM809JART-REEL8.pdf | |
![]() | DRV401AMDWPREP | DRV401AMDWPREP TI 20-SOIC | DRV401AMDWPREP.pdf | |
![]() | MMBT5551 / 3S | MMBT5551 / 3S FAIRCHILD SOT-23 | MMBT5551 / 3S.pdf | |
![]() | R2J20651NPG3G303 | R2J20651NPG3G303 RENESAS SMD or Through Hole | R2J20651NPG3G303.pdf |