창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CSD13381F4 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CSD13381F4 | |
| PCN 설계/사양 | DSBGA/uSIP 22/Jun/2016 | |
| PCN 조립/원산지 | Assembly/Test Site Transfer 19/Dec/2014 | |
| 제조업체 제품 페이지 | CSD13381F4 Specifications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Texas Instruments | |
| 계열 | NexFET™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2.1A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 500mA, 4.5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.1V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 1.4nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 200pF @ 6V | |
| 전력 - 최대 | 500mW | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 3-XFDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 3-PICOSTAR | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 296-38912-2 CSD13381F4-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CSD13381F4 | |
| 관련 링크 | CSD133, CSD13381F4 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 | |
![]() | MM54C22J | MM54C22J NS DIP | MM54C22J.pdf | |
![]() | 2004B | 2004B ORIGINAL SSOP-28 | 2004B.pdf | |
![]() | M5M41000AJ | M5M41000AJ MITSUBIS SOJ-20 | M5M41000AJ.pdf | |
![]() | DBBSM150GT120DLCV | DBBSM150GT120DLCV EUPEC SMD or Through Hole | DBBSM150GT120DLCV.pdf | |
![]() | 09P-101J-50 | 09P-101J-50 Fastron SMD or Through Hole | 09P-101J-50.pdf | |
![]() | SPMRDT345EAOBINE2C1DB | SPMRDT345EAOBINE2C1DB SAMSUNGLED SMD or Through Hole | SPMRDT345EAOBINE2C1DB.pdf | |
![]() | LM79CCVE | LM79CCVE ORIGINAL SMD or Through Hole | LM79CCVE.pdf | |
![]() | 0805 5R0D 50V | 0805 5R0D 50V FH SMD or Through Hole | 0805 5R0D 50V.pdf | |
![]() | L-130GCT/2EGW | L-130GCT/2EGW Kingbright LED | L-130GCT/2EGW.pdf | |
![]() | Z8F6423FT020SC | Z8F6423FT020SC ZILOG SMD or Through Hole | Z8F6423FT020SC.pdf | |
![]() | PZM4V3NB1 | PZM4V3NB1 ph SMD or Through Hole | PZM4V3NB1.pdf |