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Texas Instruments CSD13306WT

CSD13306WT
제조업체 부품 번호
CSD13306WT
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 12V 6DSBGA
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내부 부품 번호EIS-CSD13306WT
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서CSD13306W
PCN 설계/사양DSBGA/uSIP 22/Jun/2016
제조업체 제품 페이지CSD13306WT Specifications
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Texas Instruments
계열NexFET™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)12V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C3.5A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs10.2m옴 @ 1.5A, 4.5V
Id 기준 Vgs(th)(최대)1.3V @ 250µA
게이트 전하(Qg) @ Vgs11.2nC(4.5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds1370pF @ 6V
전력 - 최대1.9W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-UFBGA, DSBGA
공급 장치 패키지6-DSBGA(1x1.5)
표준 포장 250
다른 이름296-41134-2
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)CSD13306WT
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