창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD13306WT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD13306W | |
PCN 설계/사양 | DSBGA/uSIP 22/Jun/2016 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD13306WT Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.2m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 11.2nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1370pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 1.9W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-UFBGA, DSBGA | |
공급 장치 패키지 | 6-DSBGA(1x1.5) | |
표준 포장 | 250 | |
다른 이름 | 296-41134-2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD13306WT | |
관련 링크 | CSD133, CSD13306WT 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
865250640002 | 0.22µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 2000 Hrs @ 85°C | 865250640002.pdf | ||
SFH 314 | PHOTOTRANSISTOR NPN 850NM CLEAR | SFH 314.pdf | ||
TOOLSTICK381DC | TOOLSTICK381DC ORIGINAL SMD or Through Hole | TOOLSTICK381DC.pdf | ||
S21ME5FYJ00F | S21ME5FYJ00F SHARP DIP | S21ME5FYJ00F.pdf | ||
UC906N | UC906N UC DIP | UC906N.pdf | ||
WSE08051K000FXTG | WSE08051K000FXTG VIHSAY SMD or Through Hole | WSE08051K000FXTG.pdf | ||
B3R090L | B3R090L bs 3R | B3R090L.pdf | ||
MD2764A-35 | MD2764A-35 INTEL DIP | MD2764A-35.pdf | ||
LV2105V-TLM-E | LV2105V-TLM-E Sanyo SSOP16 | LV2105V-TLM-E.pdf | ||
2A104J 2A 104J | 2A104J 2A 104J ORIGINAL SMD or Through Hole | 2A104J 2A 104J.pdf | ||
SF500L27 | SF500L27 TOSHIBA MODULE | SF500L27.pdf | ||
SOKET PLCC64P | SOKET PLCC64P ORIGINAL SMD or Through Hole | SOKET PLCC64P.pdf |