창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD13302W | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD13302W | |
PCN 설계/사양 | DSBGA/uSIP 22/Jun/2016 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD13302W Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17.1m옴 @ 1A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.8nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 862pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-UFBGA, DSBGA | |
공급 장치 패키지 | 4-DSBGA(1x1) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD13302W | |
관련 링크 | CSD13, CSD13302W 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
![]() | CC1206FRNPO9BN220 | 22pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CC1206FRNPO9BN220.pdf | |
![]() | B32676E4565K | 5.6µF Film Capacitor 275V 450V Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.654" L x 0.630" W (42.00mm x 16.00mm) | B32676E4565K.pdf | |
![]() | TMP86P807N(M) | TMP86P807N(M) TOSHIEA DIP-28 | TMP86P807N(M).pdf | |
![]() | F018-50-F19A-C | F018-50-F19A-C FOVEON QFN | F018-50-F19A-C.pdf | |
![]() | AIU | AIU N/A MSOP-10 | AIU.pdf | |
![]() | DS140232CN | DS140232CN NS SMD or Through Hole | DS140232CN.pdf | |
![]() | DM9602W/883 | DM9602W/883 NSC SMD or Through Hole | DM9602W/883.pdf | |
![]() | KM681002CLT-20 | KM681002CLT-20 SAMSUNG TSOP32 | KM681002CLT-20.pdf | |
![]() | R2420RIW4 | R2420RIW4 ORIGINAL SSOP | R2420RIW4.pdf | |
![]() | OM4351FN/FA | OM4351FN/FA ORIGINAL SMD or Through Hole | OM4351FN/FA.pdf | |
![]() | LM2941T(LB02) | LM2941T(LB02) NATIONALSEMICONDUCTOR SMD or Through Hole | LM2941T(LB02).pdf | |
![]() | K9F2G08U0B-PIBOO | K9F2G08U0B-PIBOO SAMSUNG TSOP1 | K9F2G08U0B-PIBOO.pdf |