창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CSD13302W | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CSD13302W | |
PCN 설계/사양 | DSBGA/uSIP 22/Jun/2016 | |
제조업체 제품 페이지 | CSD13302W Specifications | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Texas Instruments | |
계열 | NexFET™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 1.6A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17.1m옴 @ 1A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.3V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7.8nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 862pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 1.8W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 4-UFBGA, DSBGA | |
공급 장치 패키지 | 4-DSBGA(1x1) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CSD13302W | |
관련 링크 | CSD13, CSD13302W 데이터 시트, Texas Instruments 에이전트 유통 |
![]() | 416F37411CTR | 37.4MHz ±10ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37411CTR.pdf | |
![]() | RE0805FRE07182KL | RES SMD 182K OHM 1% 1/8W 0805 | RE0805FRE07182KL.pdf | |
![]() | CMF55115K00DEBF | RES 115K OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF55115K00DEBF.pdf | |
![]() | S-1721E1828-I6T1G | S-1721E1828-I6T1G Seiko SNT-6A | S-1721E1828-I6T1G.pdf | |
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![]() | PVG5H504A01R00 | PVG5H504A01R00 MURATA SMD | PVG5H504A01R00.pdf | |
![]() | CM6805B | CM6805B CM SOP-8 | CM6805B.pdf | |
![]() | LOC211P K | LOC211P K ORIGINAL SOP | LOC211P K.pdf | |
![]() | RJ5-25V682MJ8 | RJ5-25V682MJ8 ELNA DIP | RJ5-25V682MJ8.pdf | |
![]() | KIA7918 | KIA7918 KEC TO 22O | KIA7918.pdf |