창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-CS80-E2GA102MYGSA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | CS80-E2GA102MYGSA | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | LD | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | CS80-E2GA102MYGSA | |
관련 링크 | CS80-E2GA1, CS80-E2GA102MYGSA 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | S101K29S3NN63L6R | 100pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 S3N 방사형, 디스크 0.295" Dia(7.50mm) | S101K29S3NN63L6R.pdf | |
![]() | BFC238344303 | 0.03µF Film Capacitor 500V 1400V (1.4kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.394" W (26.00mm x 10.00mm) | BFC238344303.pdf | |
AT-13.52915MAHI-T | 13.52915MHz ±30ppm 수정 16pF 60옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | AT-13.52915MAHI-T.pdf | ||
![]() | 416F37435CKR | 37.4MHz ±30ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37435CKR.pdf | |
![]() | AON7412 | MOSFET N-CH 30V 10A 8DFN | AON7412.pdf | |
![]() | D2572J39 | D2572J39 ORIGINAL SMD or Through Hole | D2572J39.pdf | |
![]() | TCA8418EYFPR | TCA8418EYFPR ORIGINAL SMD or Through Hole | TCA8418EYFPR.pdf | |
![]() | UP6207B1 | UP6207B1 ORIGINAL CCXH | UP6207B1.pdf | |
![]() | ERX1SJS2R2H | ERX1SJS2R2H MATSUSHITA SMD or Through Hole | ERX1SJS2R2H.pdf | |
![]() | 9C52 | 9C52 ORIGINAL SMD or Through Hole | 9C52.pdf | |
![]() | LT485ICS8 | LT485ICS8 LT SMD | LT485ICS8.pdf | |
![]() | 89C392 | 89C392 OPTI QFP-160 | 89C392.pdf |