창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CRY68(TE85L,Q,M) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CRY62-CRZ39 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전력 - 최대 | 700mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 60옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 3V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 200mA | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123F | |
| 공급 장치 패키지 | S-FLAT(1.6x3.5) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | CRY68(TE85LQM)TR CRY68TE85LQM | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CRY68(TE85L,Q,M) | |
| 관련 링크 | CRY68(TE8, CRY68(TE85L,Q,M) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | 416F27122CKR | 27.12MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F27122CKR.pdf | |
![]() | T493B106M006BH | T493B106M006BH KEMET SMD or Through Hole | T493B106M006BH.pdf | |
![]() | MCM1380 | MCM1380 MOT SOP8 | MCM1380.pdf | |
![]() | 1N1232B | 1N1232B ORIGINAL SMD or Through Hole | 1N1232B.pdf | |
![]() | AC1501A-3.3 | AC1501A-3.3 AC TO-220 | AC1501A-3.3.pdf | |
![]() | 216DP8AVA12H 9200 | 216DP8AVA12H 9200 ATI BGA | 216DP8AVA12H 9200.pdf | |
![]() | MMA8110EG | MMA8110EG Freescale SMD or Through Hole | MMA8110EG.pdf | |
![]() | IMISG5800BTB | IMISG5800BTB IMI TSSOP-16 | IMISG5800BTB.pdf | |
![]() | PLDC20RA10-25WMB 5 | PLDC20RA10-25WMB 5 N/A CWDIP | PLDC20RA10-25WMB 5.pdf | |
![]() | TNY253 | TNY253 POWER DIP-8 | TNY253.pdf | |
![]() | AL02BT1N0M | AL02BT1N0M VIKINGTECH SMD or Through Hole | AL02BT1N0M.pdf | |
![]() | BAS16-A6S | BAS16-A6S ORIGINAL SOT-23 | BAS16-A6S.pdf |