창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CRS10101DV | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | CRS10101DV | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | CRS10101DV | |
| 관련 링크 | CRS101, CRS10101DV 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | LP103M035C4P3 | 10000µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 1000 Hrs @ 105°C | LP103M035C4P3.pdf | |
![]() | C1608NP02A2R2C080AA | 2.2pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608NP02A2R2C080AA.pdf | |
![]() | CGA3E2C0G2A2R2C080AA | 2.2pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3E2C0G2A2R2C080AA.pdf | |
![]() | TV50C110JB-G | TVS DIODE 11VWM 18.2VC SMC | TV50C110JB-G.pdf | |
![]() | ABM8G-33.000MHZ-B4Y-T3 | 33MHz ±30ppm 수정 10pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM8G-33.000MHZ-B4Y-T3.pdf | |
![]() | DS1020S-050 | DS1020S-050 DALLAS SOP | DS1020S-050.pdf | |
![]() | C2012X7R105KDP | C2012X7R105KDP DARFON SMD | C2012X7R105KDP.pdf | |
![]() | GN1F4M | GN1F4M NEC SMD or Through Hole | GN1F4M.pdf | |
![]() | 22251C105KATN | 22251C105KATN AVX SMD or Through Hole | 22251C105KATN.pdf | |
![]() | OPA27GU/2K5E4 (2K5=2500/REEL) (6Y) | OPA27GU/2K5E4 (2K5=2500/REEL) (6Y) TEXAS SMD or Through Hole | OPA27GU/2K5E4 (2K5=2500/REEL) (6Y).pdf | |
![]() | Y1117-3.3 | Y1117-3.3 ORIGINAL SOT-223 | Y1117-3.3.pdf | |
![]() | STM32F103S6T6A | STM32F103S6T6A ST SMD or Through Hole | STM32F103S6T6A.pdf |