창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CRCW0603360KFKTA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | D/CRCW Series Datasheet | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Vishay Dale | |
계열 | CRCW | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 360k | |
허용 오차 | ±1% | |
전력(와트) | 0.1W, 1/10W | |
구성 | 후막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±100ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0603 | |
크기/치수 | 0.061" L x 0.033" W(1.55mm x 0.85mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | CRCW0603 100 360K 1% RT1 CRCW06033603FRT1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CRCW0603360KFKTA | |
관련 링크 | CRCW06033, CRCW0603360KFKTA 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | DRQ73-330-R | Shielded 2 Coil Inductor Array 137.6µH Inductance - Connected in Series 34.41µH Inductance - Connected in Parallel 166 mOhm DC Resistance (DCR) - Parallel 1.31A Nonstandard | DRQ73-330-R.pdf | |
![]() | IDTQS32X2245Q2G8 | IDTQS32X2245Q2G8 IDT SMD or Through Hole | IDTQS32X2245Q2G8.pdf | |
![]() | PEF3314EV2.1ES | PEF3314EV2.1ES Infineon BGA | PEF3314EV2.1ES.pdf | |
![]() | MAX202ECSE/EESE | MAX202ECSE/EESE MAX SOP16 | MAX202ECSE/EESE.pdf | |
![]() | 3.9K/0603 | 3.9K/0603 ORIGINAL SMD or Through Hole | 3.9K/0603.pdf | |
![]() | MT29F32G08CBCBBH1-12P:B | MT29F32G08CBCBBH1-12P:B Micron BGA | MT29F32G08CBCBBH1-12P:B.pdf | |
![]() | 2010 5% 0.68R | 2010 5% 0.68R SUPEROHM SMD or Through Hole | 2010 5% 0.68R.pdf | |
![]() | 100uf20V10%E | 100uf20V10%E avetron SMD or Through Hole | 100uf20V10%E.pdf | |
![]() | TF201209-33NK | TF201209-33NK OTHERS SMD or Through Hole | TF201209-33NK.pdf | |
![]() | TPCA8001-H | TPCA8001-H TOSHIBA QFN8 | TPCA8001-H.pdf | |
![]() | CR80P200BN28P/NB | CR80P200BN28P/NB ORIGINAL DIP | CR80P200BN28P/NB.pdf | |
![]() | CL32B224KBFNNNC | CL32B224KBFNNNC SAMSUNG SMD | CL32B224KBFNNNC.pdf |