창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CRA12E0831K50JTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CRA12E(S) | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 2296 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 저항기 네트워크, 어레이 | |
제조업체 | Vishay Dale | |
계열 | CRA12 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
회로 유형 | 절연 | |
저항(옴) | 1.5k | |
허용 오차 | ±5% | |
저항기 개수 | 4 | |
핀 개수 | 8 | |
소자별 전력 | 125mW | |
온도 계수 | ±200ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
응용 제품 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2012, 볼록형, 장측 단자 | |
공급 장치 패키지 | - | |
크기/치수 | 0.200" L x 0.120" W(5.08mm x 3.05mm) | |
높이 | 0.028"(0.70mm) | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | CRA12E81.5KTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CRA12E0831K50JTR | |
관련 링크 | CRA12E083, CRA12E0831K50JTR 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | MCU08050D2672BP100 | RES SMD 26.7K OHM 0.1% 1/8W 0805 | MCU08050D2672BP100.pdf | |
![]() | 41F750 | RES 750 OHM 1W 1% AXIAL | 41F750.pdf | |
![]() | LM101A/883B | LM101A/883B AMD TO8 | LM101A/883B.pdf | |
![]() | L51J(Code)E | L51J(Code)E Ohmite SMD or Through Hole | L51J(Code)E.pdf | |
![]() | LGHK100510NJ-T | LGHK100510NJ-T TAIYO 1005 0402 | LGHK100510NJ-T.pdf | |
![]() | 90546-1 | 90546-1 AMP/WSI SMD or Through Hole | 90546-1.pdf | |
![]() | TCLE106M35DT | TCLE106M35DT JARO SMD or Through Hole | TCLE106M35DT.pdf | |
![]() | NFORCE2 MCP-T | NFORCE2 MCP-T NVIDIA BGA | NFORCE2 MCP-T.pdf | |
![]() | RG2W156M12025 | RG2W156M12025 SAMWHA SMD or Through Hole | RG2W156M12025.pdf | |
![]() | CXD3134AR | CXD3134AR SONY TQFP80 | CXD3134AR.pdf | |
![]() | 1QA-0082 | 1QA-0082 TOYOCOM QFP | 1QA-0082.pdf | |
![]() | T350H686K010AS7301 | T350H686K010AS7301 KEMET SMD or Through Hole | T350H686K010AS7301.pdf |