창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CRA06P083330RJTA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CRA06P | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 2296 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 저항기 네트워크, 어레이 | |
제조업체 | Vishay Dale | |
계열 | CRA06 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
회로 유형 | 절연 | |
저항(옴) | 330 | |
허용 오차 | ±5% | |
저항기 개수 | 4 | |
핀 개수 | 8 | |
소자별 전력 | 62.5mW | |
온도 계수 | ±200ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
응용 제품 | - | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 1206(3216 미터법), 오목형, 장측 단자 | |
공급 장치 패키지 | - | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
높이 | 0.028"(0.70mm) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | CRA6P8330TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CRA06P083330RJTA | |
관련 링크 | CRA06P083, CRA06P083330RJTA 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 |
![]() | GRM0337U1H8R5DD01D | 8.5pF 50V 세라믹 커패시터 U2J 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0337U1H8R5DD01D.pdf | |
![]() | FEPB6BTHE3/81 | DIODE ARRAY GP 100V 6A TO263AB | FEPB6BTHE3/81.pdf | |
![]() | 3386F-1-500 | 50 Ohm 0.5W, 1/2W PC Pins Through Hole Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Top Adjustment | 3386F-1-500.pdf | |
![]() | ND03R00154 | ND03R00154 AVX DIP | ND03R00154.pdf | |
![]() | A125997 | A125997 MICREL QFN | A125997.pdf | |
![]() | 4608X-101-131LF | 4608X-101-131LF BOURNS DIP | 4608X-101-131LF.pdf | |
![]() | NT71671FG-00035 | NT71671FG-00035 NOVATEK SMD or Through Hole | NT71671FG-00035.pdf | |
![]() | SE400M0022B5S-1320 | SE400M0022B5S-1320 ORIGINAL DIP | SE400M0022B5S-1320.pdf | |
![]() | AD80053KBCRL-45 | AD80053KBCRL-45 ADI Call | AD80053KBCRL-45.pdf | |
![]() | NAND256R3A2BZC6E | NAND256R3A2BZC6E NUMONYX FBGA | NAND256R3A2BZC6E.pdf | |
![]() | DT=BJ | DT=BJ ORIGINAL QFN | DT=BJ.pdf | |
![]() | PIC32MX775F256H-80I/MR | PIC32MX775F256H-80I/MR Microchip QFN64 | PIC32MX775F256H-80I/MR.pdf |