창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CRA04S043220RJTD | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CRA04S | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 저항기 네트워크, 어레이 | |
| 제조업체 | Vishay Dale | |
| 계열 | CRA04 | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 회로 유형 | 절연 | |
| 저항(옴) | 220 | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 저항기 개수 | 2 | |
| 핀 개수 | 4 | |
| 소자별 전력 | 62.5mW | |
| 온도 계수 | ±200ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 응용 제품 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 0404(1010 미터법), 볼록형 | |
| 공급 장치 패키지 | - | |
| 크기/치수 | 0.039" L x 0.039" W(1.00mm x 1.00mm) | |
| 높이 | 0.018"(0.45mm) | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CRA04S043220RJTD | |
| 관련 링크 | CRA04S043, CRA04S043220RJTD 데이터 시트, Vishay BC Components 에이전트 유통 | |
![]() | 402F200XXCDR | 20MHz ±15ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F200XXCDR.pdf | |
![]() | 5022R-912F | 9.1µH Unshielded Inductor 638mA 800 mOhm Max 2-SMD | 5022R-912F.pdf | |
![]() | T7234MC1 | T7234MC1 LUCENT PLCC | T7234MC1.pdf | |
![]() | AS178-73LF | AS178-73LF AI/SKY SOT23-6 | AS178-73LF.pdf | |
![]() | 2N3650 | 2N3650 IR SMD or Through Hole | 2N3650.pdf | |
![]() | AD7731BRU-REEL7 | AD7731BRU-REEL7 AD TSSOP24 | AD7731BRU-REEL7.pdf | |
![]() | MT28F128J3RP-12 MET | MT28F128J3RP-12 MET Micron SMD or Through Hole | MT28F128J3RP-12 MET.pdf | |
![]() | DHR1C225M1S | DHR1C225M1S NEC SMD or Through Hole | DHR1C225M1S.pdf | |
![]() | NACK221M25V8x10.5TR13F | NACK221M25V8x10.5TR13F NIC SMD or Through Hole | NACK221M25V8x10.5TR13F.pdf | |
![]() | K4X56323PI-WR00 | K4X56323PI-WR00 SAMSUNG FBGA | K4X56323PI-WR00.pdf | |
![]() | 536507-6 | 536507-6 Tyco con | 536507-6.pdf | |
![]() | CW7915CK | CW7915CK CHINA SMD or Through Hole | CW7915CK.pdf |