창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CR4170-25 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CR4100 Series | |
| 종류 | 센서, 트랜스듀서 | |
| 제품군 | 전류 트랜스듀서 | |
| 제조업체 | CR Magnetics Inc. | |
| 계열 | CR4100 | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | * | |
| 측정용 | AC | |
| 센서 유형 | 변압기, 조절 포함 | |
| 전류 - 감지 | 25A | |
| 채널 개수 | 3 | |
| 출력 | 비례, 0 V ~ 5 V | |
| 감도 | - | |
| 주파수 | 20Hz ~ 5kHz | |
| 선형성 | - | |
| 정확도 | ±0.5% | |
| 전압 - 공급 | 24V | |
| 응답 시간 | 250ms | |
| 전류 - 공급(최대) | 60mA | |
| 작동 온도 | 0°C ~ 60°C | |
| 분극 | 양방향 | |
| 실장 유형 | DIN 레일, 패널 | |
| 패키지/케이스 | 모듈, 삼중 패스 스루 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CR4170-25 | |
| 관련 링크 | CR417, CR4170-25 데이터 시트, CR Magnetics Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | B41043A7278M | 2700µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | B41043A7278M.pdf | |
![]() | RCE5C2A102J0K1H03B | 1000pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.142" L x 0.098" W(3.60mm x 2.50mm) | RCE5C2A102J0K1H03B.pdf | |
![]() | BFC237048472 | 4700pF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.098" W (7.20mm x 2.50mm) | BFC237048472.pdf | |
![]() | RNCF1206BKE97K6 | RES SMD 97.6K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RNCF1206BKE97K6.pdf | |
![]() | SF4B-A28G(V2) | SAFE LITE CURTAIN ARM/FT 1124MM | SF4B-A28G(V2).pdf | |
![]() | LCMXO1200C | LCMXO1200C LATTICE BGA | LCMXO1200C.pdf | |
![]() | IM4A5-64/32-10JC-10JI | IM4A5-64/32-10JC-10JI ORIGINAL PLCC-44 | IM4A5-64/32-10JC-10JI.pdf | |
![]() | IR3651S | IR3651S IOR SOP14 | IR3651S.pdf | |
![]() | M471B5673EH1-CH9 (SODIMM DDR3 2GB) | M471B5673EH1-CH9 (SODIMM DDR3 2GB) Samsung SMD or Through Hole | M471B5673EH1-CH9 (SODIMM DDR3 2GB).pdf | |
![]() | E24S12-2W | E24S12-2W MICRODC SIP | E24S12-2W.pdf | |
![]() | S10K680E2 | S10K680E2 EPCOS DIP | S10K680E2.pdf | |
![]() | CFWS455B2P15 | CFWS455B2P15 MRT SMD or Through Hole | CFWS455B2P15.pdf |