창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CQ0603JRNPO9BN200 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | Hi Q Series | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | Yageo | |
계열 | CQ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 20pF | |
허용 오차 | ±5% | |
전압 - 정격 | 50V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
크기/치수 | 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.035"(0.90mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | - | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 4,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CQ0603JRNPO9BN200 | |
관련 링크 | CQ0603JRNP, CQ0603JRNPO9BN200 데이터 시트, Yageo 에이전트 유통 |
![]() | 445A23J24M57600 | 24.576MHz ±20ppm 수정 9pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A23J24M57600.pdf | |
![]() | VUO36-08NO8 | RECT BRIDGE 27A 800V FO-B | VUO36-08NO8.pdf | |
![]() | MBA02040C7500FRP00 | RES 750 OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C7500FRP00.pdf | |
![]() | CMF605K6000FKRE | RES 5.6K OHM 1W 1% AXIAL | CMF605K6000FKRE.pdf | |
![]() | 39FX-RSM1-S-GB-VA-TB | 39FX-RSM1-S-GB-VA-TB JST SMD or Through Hole | 39FX-RSM1-S-GB-VA-TB.pdf | |
![]() | D23C4001EGW | D23C4001EGW NEC SOP32 | D23C4001EGW.pdf | |
![]() | T5BB1-3KE8 | T5BB1-3KE8 TOSHIBA SMD or Through Hole | T5BB1-3KE8.pdf | |
![]() | SI-3240F | SI-3240F TOSHIBA SIP | SI-3240F.pdf | |
![]() | BZ-RW9223312 | BZ-RW9223312 Honeywell SMD or Through Hole | BZ-RW9223312.pdf | |
![]() | TCW2012W900T | TCW2012W900T ORIGINAL 0805-900 | TCW2012W900T.pdf | |
![]() | 0517a | 0517a ORIGINAL BGA-84D | 0517a.pdf | |
![]() | CIC31J471NE | CIC31J471NE SAMSUNG SMD | CIC31J471NE.pdf |