창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CPH6341-TL-E | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CPH6341 | |
| PCN 설계/사양 | Copper Wire Material 13/Oct/2014 Wire Chg 13/Oct/2014 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fab Transfer 12/Feb/2014 | |
| 카탈로그 페이지 | 1531 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 주문 불가 | |
| FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 59m옴 @ 3A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 430pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 1.6W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
| 공급 장치 패키지 | 6-CPH | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 869-1141-2 CPH6341TLE | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CPH6341-TL-E | |
| 관련 링크 | CPH6341, CPH6341-TL-E 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 0JTD17.5TXID | FUSE CRTRDGE 17.5A 600VAC/500VDC | 0JTD17.5TXID.pdf | |
![]() | W48C87-04H | W48C87-04H ICWORKSCYPRESS SSOP | W48C87-04H.pdf | |
![]() | SDNT1005X103J3380HTF | SDNT1005X103J3380HTF ORIGINAL SMD or Through Hole | SDNT1005X103J3380HTF.pdf | |
![]() | 408S0 | 408S0 ORIGINAL SOP-8 | 408S0.pdf | |
![]() | AK012 | AK012 N/A SOT-153 | AK012.pdf | |
![]() | PZU10B2A,115 | PZU10B2A,115 NXP SOD323 | PZU10B2A,115.pdf | |
![]() | H5RRA40516501 | H5RRA40516501 Tyco con | H5RRA40516501.pdf | |
![]() | UH1D | UH1D VISHAY DO-214AC(SMA) | UH1D.pdf | |
![]() | CR21365JF | CR21365JF ASJ SOP | CR21365JF.pdf | |
![]() | 67996-172HLF | 67996-172HLF FCI SMD or Through Hole | 67996-172HLF.pdf | |
![]() | ST1900C48R1L | ST1900C48R1L IR module | ST1900C48R1L.pdf | |
![]() | GT2G108M51080 | GT2G108M51080 SAMW DIP2 | GT2G108M51080.pdf |