창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CPH6337-TL-W | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CPH6337 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | ON Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET P-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.8V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 12V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 3.5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 70m옴 @ 1.5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.4V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.6nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 405pF @ 6V | |
전력 - 최대 | 1.6W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
공급 장치 패키지 | 6-CPH | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | CPH6337-TL-W-ND CPH6337-TL-WOSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CPH6337-TL-W | |
관련 링크 | CPH6337, CPH6337-TL-W 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 |
![]() | CMF554K9900FNEA | RES 4.99K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF554K9900FNEA.pdf | |
![]() | APT6015JVFR | APT6015JVFR APT TO-227 | APT6015JVFR.pdf | |
![]() | DGA6605B | DGA6605B DAEWOO SMD or Through Hole | DGA6605B.pdf | |
![]() | IDV02S60C | IDV02S60C INFINEON TO-220F-2 | IDV02S60C.pdf | |
![]() | UPD78233GJ | UPD78233GJ NEC QFP96 | UPD78233GJ.pdf | |
![]() | B41570A5150Q000 | B41570A5150Q000 EPCOS SMD or Through Hole | B41570A5150Q000.pdf | |
![]() | MB89F538 | MB89F538 FUJI TQFP | MB89F538.pdf | |
![]() | JMS-1+ | JMS-1+ MINI SMD or Through Hole | JMS-1+.pdf | |
![]() | CIC41P471NE | CIC41P471NE SAMSUNG SMD | CIC41P471NE.pdf | |
![]() | 89HPE16T7ZHBXG | 89HPE16T7ZHBXG IDT BGA | 89HPE16T7ZHBXG.pdf | |
![]() | KME35VB-330 | KME35VB-330 NIPPONCHEMI-CON SMD or Through Hole | KME35VB-330.pdf |