창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CND2B10TE470KOHMJ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | CND2B10TE470KOHMJ | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | CND2B10TE470KOHMJ | |
| 관련 링크 | CND2B10TE4, CND2B10TE470KOHMJ 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | ASVMB-106.250MHZ-LY-T | 106.25MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8 V ~ 3.3 V 16mA Standby (Power Down) | ASVMB-106.250MHZ-LY-T.pdf | |
| AOTF11S65L | MOSFET N-CH 650V 11A TO220F | AOTF11S65L.pdf | ||
![]() | CMF602M7000FKR6 | RES 2.7M OHM 1W 1% AXIAL | CMF602M7000FKR6.pdf | |
![]() | 8713012-902158 | 8713012-902158 PMIAD DIP8 | 8713012-902158.pdf | |
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![]() | XC17S200APD8G8C | XC17S200APD8G8C xilinx DIP | XC17S200APD8G8C.pdf | |
![]() | 74HCT2G86DP125 | 74HCT2G86DP125 NXP SMD DIP | 74HCT2G86DP125.pdf | |
![]() | 0805-698R | 0805-698R ORIGINAL SMD or Through Hole | 0805-698R.pdf | |
![]() | NS-9013 | NS-9013 NINGSHENG SMD or Through Hole | NS-9013.pdf | |
![]() | RB521SM-30 | RB521SM-30 ROHM SOD0603 | RB521SM-30.pdf | |
![]() | MLB201209-0600L-N2 | MLB201209-0600L-N2 ORIGINAL SMD or Through Hole | MLB201209-0600L-N2.pdf | |
![]() | LH1156B | LH1156B VIS/INF DIPSOP6 | LH1156B.pdf |