창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CMSZ5235B BK | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 재고 확인 요청 / 재고 확인 요청 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | CMSZ5221B thru CMSZ5267B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Central Semiconductor Corp | |
계열 | - | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.8V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 275mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 5V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-70, SOT-323 | |
공급 장치 패키지 | SOT-323 | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | CMSZ5235B BK | |
관련 링크 | CMSZ523, CMSZ5235B BK 데이터 시트, Central Semiconductor Corp 에이전트 유통 |
![]() | 3KP15CA-B | TVS DIODE 15VWM 24.4VC P600 | 3KP15CA-B.pdf | |
![]() | 1812R-332J | 3.3µH Unshielded Inductor 501mA 800 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | 1812R-332J.pdf | |
![]() | TNPW201062R0BEEY | RES SMD 62 OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW201062R0BEEY.pdf | |
![]() | SS8550 Y2. | SS8550 Y2. GC SOT-23 | SS8550 Y2..pdf | |
![]() | R1170H341B-T1 | R1170H341B-T1 RICOH/ SOT89-5 | R1170H341B-T1.pdf | |
![]() | Idt71256S55J | Idt71256S55J IDT DIP | Idt71256S55J.pdf | |
![]() | MCR3918 | MCR3918 ASI TO-48 | MCR3918.pdf | |
![]() | H2JB8 | H2JB8 NO SMD or Through Hole | H2JB8.pdf | |
![]() | s-240- | s-240- ZH SMD or Through Hole | s-240-.pdf | |
![]() | MBM29DL800TA-70PFTN | MBM29DL800TA-70PFTN FUJITSU SMD or Through Hole | MBM29DL800TA-70PFTN.pdf | |
![]() | BZD27C13 | BZD27C13 ph SMD or Through Hole | BZD27C13.pdf | |
![]() | PT2367-TP(L) | PT2367-TP(L) PTC SMD or Through Hole | PT2367-TP(L).pdf |