창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CM6032V201R-10 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | ||
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | Part Number Guide EMI Filtering/RF Inductors Catalog CM6032V201R-10 Drawing | |
| 카탈로그 페이지 | 1857 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 필터 | |
| 제품군 | 공통 모드 초크 | |
| 제조업체 | Laird-Signal Integrity Products | |
| 계열 | CM | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 필터 유형 | 전력 라인 | |
| 라인 개수 | 8 | |
| 임피던스 @ 주파수 | 200옴 @ 100MHz | |
| 유도 용량 @ 주파수 | - | |
| 정격 정류(최대) | 8A | |
| DC 저항(DCR)(최대) | 10m옴 | |
| 정격 전압 - DC | - | |
| 정격 전압 - AC | - | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C | |
| 등급 | - | |
| 승인 | - | |
| 특징 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 크기/치수 | 0.600" L x 0.430" W(15.24mm x 10.92mm) | |
| 높이(최대) | 0.397"(10.08mm) | |
| 패키지/케이스 | 수직, 16 평면형 리드 | |
| 표준 포장 | 250 | |
| 다른 이름 | 240-2468-2 CM6032V201R10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CM6032V201R-10 | |
| 관련 링크 | CM6032V2, CM6032V201R-10 데이터 시트, Laird-Signal Integrity Products 에이전트 유통 | |
![]() | RNF14BTD11K0 | RES 11K OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BTD11K0.pdf | |
![]() | CMF606K4000BER6 | RES 6.4K OHM 1W 0.1% AXIAL | CMF606K4000BER6.pdf | |
![]() | CMF5516M200FKEB | RES 16.2M OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5516M200FKEB.pdf | |
![]() | HMC468ALP3ETR | RF Attenuator 7dB ±0.4dB 0 ~ 6GHz 50 Ohm 657mW 16-VFQFN Exposed Pad | HMC468ALP3ETR.pdf | |
![]() | TC841U-4412 | TC841U-4412 TOS QFP | TC841U-4412.pdf | |
![]() | OMIT-SS-105DM | OMIT-SS-105DM OEG SMD or Through Hole | OMIT-SS-105DM.pdf | |
![]() | AD22284-A-42 | AD22284-A-42 AD LCC | AD22284-A-42.pdf | |
![]() | 120660-1 | 120660-1 AMP TUBE | 120660-1.pdf | |
![]() | TCB03B-PDOEMFTR | TCB03B-PDOEMFTR MICROCHIP DIPSOP | TCB03B-PDOEMFTR.pdf | |
![]() | MB40760PF-G-BND-JN | MB40760PF-G-BND-JN FUJITSU ORIGINAL | MB40760PF-G-BND-JN.pdf | |
![]() | 66-9005-1R | 66-9005-1R GCELECTRONICS SMD or Through Hole | 66-9005-1R.pdf | |
![]() | 1N21WE | 1N21WE MICROSEMI SMD | 1N21WE.pdf |