Samsung Electro-Mechanics America, Inc. CL32F226ZPINNNF
-22.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- CL32F226ZPINNNF
- 제조업 자
- Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
- 제품 카테고리
- 세라믹 커패시터
- 간단한 설명
- 22µF 10V 세라믹 커패시터 Y5V(F) 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm)
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
CL32F226ZPINNNF 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 CL32F226ZPINNNF 재고가 있습니다. 우리는 Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 전자 부품 전문. CL32F226ZPINNNF 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. CL32F226ZPINNNF가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- CL32F226ZPINNNF 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
CL32F226ZPINNNF 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-CL32F226ZPINNNF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중단 제품 / 단종 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CL32F226ZPINNNF Characteristics MLCC Catalog | |
| 제품 교육 모듈 | High Cap MLCC Family | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
| PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 17/Dec/2015 | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CL | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 22µF | |
| 허용 오차 | -20%, +80% | |
| 전압 - 정격 | 10V | |
| 온도 계수 | Y5V(F) | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -30°C ~ 85°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 1210(3225 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.087"(2.20mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CL32F226ZPINNNF | |
| 관련 링크 | CL32F226Z, CL32F226ZPINNNF 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
CL32F226ZPINNNF 의 관련 제품
 | VJ0603D390FXBAC | 39pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D390FXBAC.pdf | |
 | 1N5235BTR | DIODE ZENER 6.8V 500MW DO35 | 1N5235BTR.pdf | |
 | CTX25-4A-R | Unshielded 2 Coil Inductor Array 100.51µH Inductance - Connected in Series 25.14µH Inductance - Connected in Parallel 48 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 3.02A Nonstandard | CTX25-4A-R.pdf | |
 | M11B16161A-45 T | M11B16161A-45 T ESMT SMD or Through Hole | M11B16161A-45 T.pdf | |
| 94-6093 | 94-6093 IR SMD or Through Hole | 94-6093.pdf | |
| 49884MAD | 49884MAD LEVITOWN SMD or Through Hole | 49884MAD.pdf | |
| TWL93022HZQW | TWL93022HZQW TI BGA | TWL93022HZQW.pdf | |
| OR2C08A4BA256-DB | OR2C08A4BA256-DB LatticeSemiconduc SMD or Through Hole | OR2C08A4BA256-DB.pdf | |
| ACMS160808A1021A | ACMS160808A1021A MAXECHO SMD or Through Hole | ACMS160808A1021A.pdf | |
| CE-10/100P | CE-10/100P ORIGINAL SMD or Through Hole | CE-10/100P.pdf | |
| SP8M4-TBB | SP8M4-TBB ROHM SMD or Through Hole | SP8M4-TBB.pdf | |
| bla1011-300-112 | bla1011-300-112 philipssemiconducto SMD or Through Hole | bla1011-300-112.pdf |