창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CL32C182JGHNNNE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | CL32C182JGHNNNESpec Sheet MLCC Catalog | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CL | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 1800pF | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전압 - 정격 | 500V | |
| 온도 계수 | C0G, NP0 | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 1210(3225 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.071"(1.80mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | 1276-3349-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CL32C182JGHNNNE | |
| 관련 링크 | CL32C182J, CL32C182JGHNNNE 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | 1676862-5 | 1pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 1676862-5.pdf | |
| 511FAA-AAAG | 100kHz ~ 124.999MHz LVDS XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 2.5V 23mA Enable/Disable | 511FAA-AAAG.pdf | ||
![]() | CRCW1206301KFKEB | RES SMD 301K OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW1206301KFKEB.pdf | |
![]() | 688012465 | 688012465 MOLEX SMD | 688012465.pdf | |
![]() | D2615 | D2615 ROHM TO-220F | D2615.pdf | |
![]() | SPX5205M5 | SPX5205M5 SIPEX SOT23-5 | SPX5205M5.pdf | |
![]() | AM28F020-9SJC | AM28F020-9SJC AMD PLCC | AM28F020-9SJC.pdf | |
![]() | MM3077RYRE | MM3077RYRE MITSUMI SMD or Through Hole | MM3077RYRE.pdf | |
![]() | SY8107 | SY8107 Silergy SSOT23-6 | SY8107.pdf | |
![]() | BAR88-02V TEL:82766440 | BAR88-02V TEL:82766440 INFINEON SMD or Through Hole | BAR88-02V TEL:82766440.pdf | |
![]() | AOZ1254PI | AOZ1254PI AOS SOP-8 | AOZ1254PI.pdf | |
![]() | HY5DV281622DTP-5 | HY5DV281622DTP-5 HYNIX SMD or Through Hole | HY5DV281622DTP-5.pdf |