창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
내부 부품 번호 | EIS-CL32B225KAJNNNC | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
시리즈 | CL32B225KAJNNNC | |
EDA/CAD 모델 | - | |
종류 | 전자 부품 | |
공차 | - | |
풍모 | - | |
작동 온도 | - | |
정격 전압 | - | |
정격 전류 | - | |
최종 제품 | - | |
포장 종류 | SMD or Through Hole | |
무게 | 0.001 KG | |
대체 부품 (교체) | CL32B225KAJNNNC | |
관련 링크 | CL32B225K, CL32B225KAJNNNC 데이터 시트, - 에이전트 유통 |
![]() | ASTMUPCD-33-16.000MHZ-EY-E-T | 16MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 3.3V 36mA Enable/Disable | ASTMUPCD-33-16.000MHZ-EY-E-T.pdf | |
CDNBS04-B08200 | DIODE BRIDGE RECTIFIER 200V NBS0 | CDNBS04-B08200.pdf | ||
![]() | IMC1210BN151K | 150µH Unshielded Wirewound Inductor 65mA 15 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210BN151K.pdf | |
![]() | BD745A-S | BD745A-S bourns DIP | BD745A-S.pdf | |
![]() | HM62W8127HLJP-30 | HM62W8127HLJP-30 HIT SMD or Through Hole | HM62W8127HLJP-30.pdf | |
![]() | LSISAS1064E E2 | LSISAS1064E E2 LSI BGA | LSISAS1064E E2.pdf | |
![]() | P4NA60FT | P4NA60FT ORIGINAL TO-220F | P4NA60FT.pdf | |
![]() | MB29PL32CM-70PFTN | MB29PL32CM-70PFTN FUJITSU TSOP | MB29PL32CM-70PFTN.pdf | |
![]() | TC51N1002ECBTR | TC51N1002ECBTR MICROCHIP SMD or Through Hole | TC51N1002ECBTR.pdf | |
![]() | CL21B224KBNC | CL21B224KBNC SAMSUNG SMD | CL21B224KBNC.pdf | |
![]() | LM336B | LM336B ST SO-8 | LM336B.pdf | |
![]() | LSDRFKJ1K03.AH.11 | LSDRFKJ1K03.AH.11 WSN SMD or Through Hole | LSDRFKJ1K03.AH.11.pdf |