창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-CL32B104KCFNNWE | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | MLCC Catalog CL Series, MLCC Datasheet | |
| 제품 교육 모듈 | High Cap MLCC Family | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | MLCC RoHS 2 Compliance | |
| 주요제품 | Multi-Layer Ceramic Capacitors | |
| 종류 | 커패시터 | |
| 제품군 | 세라믹 커패시터 | |
| 제조업체 | Samsung Electro-Mechanics America, Inc. | |
| 계열 | CL | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 정전 용량 | 0.10µF | |
| 허용 오차 | ±10% | |
| 전압 - 정격 | 100V | |
| 온도 계수 | X7R | |
| 실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
| 응용 제품 | 범용 | |
| 등급 | - | |
| 패키지/케이스 | 1210(3225 미터법) | |
| 크기/치수 | 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | |
| 높이 - 장착(최대) | - | |
| 두께(최대) | 0.057"(1.45mm) | |
| 리드 간격 | - | |
| 특징 | - | |
| 리드 유형 | - | |
| 표준 포장 | 2,000 | |
| 다른 이름 | 1276-3319-2 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | CL32B104KCFNNWE | |
| 관련 링크 | CL32B104K, CL32B104KCFNNWE 데이터 시트, Samsung Electro-Mechanics America, Inc. 에이전트 유통 | |
![]() | LHL10NB4R7M | 4.7µH Unshielded Inductor 4A 24 mOhm Max Radial | LHL10NB4R7M.pdf | |
![]() | AT0805DRE07178RL | RES SMD 178 OHM 0.5% 1/8W 0805 | AT0805DRE07178RL.pdf | |
![]() | RC2512FK-07422KL | RES SMD 422K OHM 1% 1W 2512 | RC2512FK-07422KL.pdf | |
![]() | RNF12FTD3K32 | RES 3.32K OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FTD3K32.pdf | |
![]() | HVR3700003653FR500 | RES 365K OHM 1/2W 1% AXIAL | HVR3700003653FR500.pdf | |
![]() | F211DT825M063C | F211DT825M063C KEMET DIP | F211DT825M063C.pdf | |
![]() | GP1S525V000N | GP1S525V000N SHARP DIP | GP1S525V000N.pdf | |
![]() | TC628EOA | TC628EOA TOSHIBA SOP8 | TC628EOA.pdf | |
![]() | 612318-1 | 612318-1 GI DIP18 | 612318-1.pdf | |
![]() | H72012AM /72012 | H72012AM /72012 ORIGINAL SOT-89 | H72012AM /72012.pdf | |
![]() | MIC24C02AI/SN | MIC24C02AI/SN MICROCHIP SOP8 | MIC24C02AI/SN.pdf | |
![]() | K8S3215ETF-HE7C1 | K8S3215ETF-HE7C1 SAMSUNG BGA | K8S3215ETF-HE7C1.pdf |